牛津仪器宣布等离子抛光替代CMP抛光资格认证和量产计划

牛津仪器宣布等离光敏三极管子抛光替代CMP抛光资格认证和量产计划 03月24日行业要闻101

3月8月，牛津仪器旗下等离子技术公司（Plasma Technology）推出一种新型SiC外延衬底干法蚀刻（PPDE）工艺，它不仅更清洁、环保、低成本，并且更稳定，可替代目前通用的化学机械抛光（CMP）工艺。Plasma Technology的战略业务发展总监评论说，“选择等离子表面处理来生产SiC外延衬底是一个非常有吸引力的提议，作为一种与当前方法相比的技术，它以更低的成本提供更好的结果，并实现了SiC器件的环境可持续生产。”

等离子干法蚀刻（PPDE）工艺示意图

在向行业扔出爆炸性通告后，牛津仪器开始向几家领先制造商推荐并推动该工艺的鉴定工作，目前已经证实牛津仪器的等离子抛光技术可以有效地应用于改善碳化硅(SiC) 衬底表面并减少多个生产过程的次表面损伤，正在与商业合作伙伴在SiC 器件制造供应链的多个节点进行测试，例如作为 boule 生长、外延前和外压力变送器延后以及外延层之间，以满足更高电压的器件要求。

牛津仪器表示，SiC供应链的主要客户对等离子抛光的市场兴趣浓厚，公司正处于与多家公司进行资格认证的后期阶段，并正在加快等离子抛光模块的生产。牛津仪器等离子技术全球销售和营销总监Bas Derksem雨量计a评论，“我们光缆接续盒新的Severn Beach生产和研究设施将在未来12个月内上线，将我们的生产能力提高50%以上，应用实验室空间增加一倍，这将使我们能够继续开发市场领先的创新解决方案，并提高产能提高我们的生产能力以应对不断增长的市场需求。”

编译整理 YUXI

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